自從Fan-Out封裝問(wèn)世以來(lái)，經(jīng)過(guò)多年的技術(shù)發(fā)展，扇出式封裝已經(jīng)形成了多種封裝流程、封裝結(jié)構(gòu)以適應(yīng)不同產(chǎn)品需要，根據(jù)工藝流程，可以分為先貼芯片后加工RDL的Chip First工藝和先制作RDL后貼裝芯片的Chip Last工藝兩大類，其中，結(jié)構(gòu)最簡(jiǎn)單的是采用Chip First工藝的eWLB，該結(jié)構(gòu)如下圖：

其工藝流程如下：

1、將切割好的芯片Pad面向下粘貼在帶臨時(shí)鍵合膠的載片上；

2、從芯片背面對(duì)載片進(jìn)行灌膠塑封；

3、移除臨時(shí)載片形成塑封后的二次晶圓（扇出式晶圓）；

4、去除Pad上的殘留膠并在Pad面形成RDL層；

5、在RDL層上植球并切割成單個(gè)成品。

此技術(shù)的優(yōu)勢(shì)是制程相對(duì)簡(jiǎn)單，成本優(yōu)勢(shì)明顯。但由于移除載片后，扇出晶圓的翹曲難以控制，對(duì)RDL線路的生長(zhǎng)技術(shù)提出了挑戰(zhàn)，難以制作高密度的RDL，因此該技術(shù)主要應(yīng)用于布線密度較低的中低端的產(chǎn)品。

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